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Infineon Technologies FF225R12ME4BOSA1
| Artikelnummer: | FF225R12ME4BOSA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT MOD 1200V 320A 1050W |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $150.64 |
| 10+ | $143.516 |
| 30+ | $140.4627 |
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- Spezifikationen
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- Verpackung
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Infineon Technologies FF225R12ME4BOSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FF225R12ME4BOSA1.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 225A Supplier Device-Gehäuse Module Serie EconoDUAL™ 3 Leistung - max 1050 W Verpackung / Gehäuse Module Paket Tray Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C NTC-Thermistor Yes Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Chassis Mount Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 13 nF @ 25 V Eingang Standard IGBT-Typ Trench Field Stop Strom - Collector Cutoff (Max) 3 mA Strom - Kollektor (Ic) (max) 320 A Konfiguration 2 Independent Grundproduktnummer FF225R12 FF225R12ME4BOSA1 Einzelheiten PDF [English] FF225R12ME4BOSA1 PDF - EN.pdf -
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